制备条件对Ge2Sb2Te5薄膜电学性能的影响

• 作者: 刘波 夏吉林 宋志棠 封松林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ge2Sb2Te5 电学性能 制备条件 相变
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 155-157
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 字数: 1373字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.038

摘要

研究了磁控溅射制备Ge2Sb2Te5薄膜时,制备条件诸如功率、气压等对薄膜性能的影响.主要通过测量薄膜方块电阻随退火温度的变化情况,探索Ge2Sb2Te5薄膜的成长机理.实验结果表明,不同溅射功率下制备的薄膜经不同温度退火后方块电阻没有明显的区别,而随着溅射气压的上升,薄膜方块电阻随退火温度的增加,下降的速率增加,意味着由面心立方结构转变为六方结构所需的结晶温度降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘波	中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心	266	2712	24.0	39.0
2	封松林	中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心	44	296	8.0	16.0
3	宋志棠	中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心	51	197	8.0	12.0
4	夏吉林	中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心	1	3	1.0	1.0