光伏型硅X射线探测器

• 作者: 张治国
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 探测器 垂直多结 X射线
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1294-1299
• 页数: 6页
• 分类号: TN364+.1
• 字数: 4393字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.07.028

摘要

介绍了垂直多结器件的结构,给出了热迁移制结的工艺条件和结果,特别介绍了处理器件电极引线的隔离线方法,解决了经过热迁移掺杂后光刻电极套不准的难题,以及把所有p型区域连接起来的问题,达到了敏感区金属零遮挡的目的.同时分析了工艺条件对器件性能的影响.通过对敏感区和无效区的计算和对比,对器件的几个电流参数进行了详细的计算;对两种靶材的标识谱在器件内产生的光电子的收集效率做了计算,对器件的光谱响应度也作了计算和分析;同时对器件窗口材料的选择进行了详细讨论;最后叙述对器件进行的实验验证,通过对金属模板上模拟缺陷的测量,证明器件有足够的灵敏度和分辨率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张治国	泉州师范学院物理系	16	31	2.0	5.0