IGBT的发展

• 作者: 杨金明 郭红霞
• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT 性能 产品 技术
• 年，卷（期）: dysjb_2006,（9）
• 页码范围: 51-56
• 页数: 6页
• 分类号: TM92

摘要

绝缘栅双极晶体管（IGBT）是20世纪80年代中期问世的一种新型电力电子器件，它兼有MOSFET的快速响应、高输入阻抗和GTR的低通态压降，高电流密度等优良特性，因而得到迅速发展。本文对IGBT的优缺点、工作原理做了简要的介绍，并与GTR、MOSFET的一些性能做了比较，在此基础上，进一步介绍了在开发中IGBT产品研制的进展和采用的新技术等相关内容。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨金明	华南理工大学电力学院	121	1682	26.0	37.0
2	郭红霞	华南理工大学电力学院	35	450	14.0	21.0