AlN插入层与AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的关系

• 作者: 刘新宇 刘键 和致经 李诚瞻 薛丽君 陈晓娟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlN插入层 HEMTs 电流崩塌效应 热电子
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1055-1058
• 页数: 4页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 2414字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.06.021

摘要

比较有无AlN插入层AlGaN/GaN HEMTs在直流偏置应力条件下的电流崩塌程度,研究AlN插入层对电流崩塌的影响.从测试结果看,无AlN插入层的AlGaN/GaN HEMTs有更显著的电流崩塌程度,表明AlN插入层对电流崩塌效应有显著的抑制作用.模拟的AlGaN/GaN能带结构表明,AlN插入层能显著提高AlGaN导带底能级,增加异质结的带隙差.带隙差的增加有利于减小电子遂穿几率,加强沟道二维电子气的量子限制,从而抑制电流崩塌效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	刘键	中国科学院微电子研究所	28	152	8.0	11.0
3	薛丽君	中国科学院微电子研究所	8	141	3.0	8.0
4	和致经	中国科学院微电子研究所	36	229	9.0	13.0
5	陈晓娟	中国科学院微电子研究所	26	185	9.0	12.0
6	李诚瞻	中国科学院微电子研究所	12	49	4.0	6.0