介质层充电对电容式RF MEMS开关的影响

• 作者: 万江文 于宁 吴银锋
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电容式RF MEMS开关 可靠性 电荷积累 寿命
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: RF微纳器件与技术
• 页码范围: 1955-1958,1962
• 页数: 5页
• 分类号: TM5
• 字数: 2969字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2006.05.170

摘要

电容式RF MEMS开关介质层电荷累积被认为是导致开关失效的主要原因.基于电容式RF MEMS开关工作过程中电场强度的变化,分析讨论了累积电荷的来源,并推导出相应的计算公式.对于随机性较大的界面极化问题,根据理论计算公式,提出从工艺上减小极化现象发生的解决方案.在讨论影响介质层电荷注入各种因素及相互之间关系的基础上,建立了基于电荷累积的开关寿命预测模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	万江文	北京邮电大学自动化学院测控与通信微系统研究中心	13	179	6.0	13.0
2	于宁	北京邮电大学自动化学院测控与通信微系统研究中心	13	215	7.0	13.0
3	吴银锋	北京邮电大学自动化学院测控与通信微系统研究中心	6	136	3.0	6.0