复合介质层SOI高压器件电场分布解析模型

• 作者: 张波 李肇基 罗小蓉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 复合介质层 纵向电场 调制 击穿电压 RESURF判据
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2005-2010
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 3263字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.11.023

摘要

提出复合介质埋层SOI(compound dielectric buried layer SOI,CDL SOI)高压器件新结构,建立其电场和电势分布的二维解析模型,给出CDL SOI和均匀介质埋层SOI器件的RESURF条件统一判据.CDL SOI结构利用漏端低k(介电常数)介质增强埋层纵向电场,具有不同k值的复合介质埋层调制漂移区电场,二者均使耐压提高.借助解析模型和二维数值仿真对其电场和电势进行分析,二者吻合较好.结果表明,对低k值为2的CDL SOILDMOS,其埋层电场和器件耐压分别比常规SOI结构提高了82%和58%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学微电子与固体电子学院	206	1313	17.0	26.0
2	李肇基	电子科技大学微电子与固体电子学院	85	958	14.0	28.0
3	罗小蓉	电子科技大学微电子与固体电子学院	18	62	5.0	7.0