大容量逆变电源IGBT并联应用的仿真分析

• 作者: 惠晶 沈锦飞 臧小惠
• 来源期刊: 计算机仿真
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘门极双极型晶体管 并联 逆变电源 仿真
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 能源领域仿真
• 页码范围: 197-199,218
• 页数: 4页
• 分类号: TM743
• 字数: 1895字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-9348.2006.02.057

摘要

该文针对逆变电源向大功率发展时受单管IGBT(绝缘门极双极型晶体管)电流容量限制的问题,受MOSFET(电力场效应晶体管)并联扩流成功应用的启发,提出采用多IGBT的并联技术,解决进一步提高逆变电源容量的难题.在分析IGBT工作机理基础上,给出了电路拓扑及其工作原理,并对并联器件产生的均流问题进行了重点分析,提出了相应的解决方法,推荐了IGBT并联应用的厚膜集成驱动电路.通过理论分析和计算机仿真结果表明:在大容量逆变电源中采用IGBT并联技术是有效可行的,它可以显著增加整机的电流容量,提高电源的有效功率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	惠晶		158	1491	21.0	31.0
2	臧小惠		4	59	3.0	4.0
3	沈锦飞		128	985	17.0	25.0