纳米SiC掺杂MgB2超导带材的制备及其性能研究

• 作者: Watanabe Kazuo 张现平 王栋梁 禹争光 郭建栋 马衍伟 高召顺
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 化学
• 关键词: MgB2带材 SiC掺杂 临界电流性能 机理
• 年，卷（期）: 2006,（22）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 2598-2601
• 页数: 4页
• 分类号: O6
• 字数: 2229字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2006.22.003

摘要

采用粉末装管法制备了SiC掺杂的MgB2带材系列样品.通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜和超导量子干涉仪等仪器对样品进行了表征.实验结果表明,SiC掺杂对于提高MgB2带材的超导性能具有十分有效的作用.掺杂量为5%时,在4.2 K和10 T条件下,掺杂样品的临界电流密度高达9024 A/cm2,是未掺杂样品的32倍多.掺杂样品在高磁场下具有良好的临界电流性能主要归因于C对B的替代所产生的晶格畸变、位错等缺陷和局部成分变化而导致的有效晶内钉扎作用,同时由于掺杂而提高的晶粒连接性也对临界电流密度的提高起到一定作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马衍伟	中国科学院电工研究所应用超导实验室	45	472	10.0	21.0
2	郭建栋	北京大学物理学院	14	35	3.0	5.0
3	禹争光	中国科学院电工研究所应用超导实验室	8	33	4.0	5.0
4	张现平	中国科学院电工研究所应用超导实验室	11	35	3.0	4.0
5	高召顺	中国科学院电工研究所应用超导实验室	13	46	4.0	6.0
6	王栋梁	中国科学院电工研究所应用超导实验室	2	5	2.0	2.0