CMP中接触与流动关系的分析

• 作者: 张朝辉 杜永平 雒建斌
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 接触压力 流体负压
• 年，卷（期）: 2006,（16）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 1961-1965
• 页数: 5页
• 分类号: TP3
• 字数: 3658字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2006.16.017

摘要

分别考虑抛光垫基体和粗糙峰变形建立化学机械抛光(chemical mechanical polishing/planarization,CMP)的一维两层接触模型和抛光液流动模型,分析了CMP中接触压力和流动的关系,利用数值方法模拟了抛光垫基体和粗糙峰变形情况,以及接触压力和流体压力的分布情况.分析表明在晶片入口区附近形成了发散间隙,从而抛光液流体出现负压,在晶片边缘形成了高应力集中导致的过度抛光,解释了CMP的这两个基本特征.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张朝辉	北京交通大学机电学院	30	292	11.0	16.0
2	杜永平	北京交通大学机电学院	21	302	10.0	17.0
3	雒建斌	清华大学摩擦学国家重点实验室	96	1802	22.0	37.0