相变域硅薄膜材料的光稳定性

• 作者: 任慧志 侯国付 孙建 张德坤 朱锋 王岩 耿新华 薛俊明 赵颖 郭群超 韩晓艳
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频等离子体增强化学气相沉积 硅薄膜 Staebler-Wronski(SW)效应 稳定性
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 947-951
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2049字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.02.084

摘要

采用RF-PECVD技术,通过改变反应气体的硅烷浓度制备了一系列不同晶化率不掺杂的硅薄膜材料,研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微结构的关系.随后进行了光衰退试验,在分析光照前后光电特性变化规律的基础上,认为材料中的非晶成分是导致材料光电特性衰退的主要原因.在靠近过渡区非晶一侧的硅材料比普通非晶硅稳定,衰退率较少;高晶化率微晶硅材料性能稳定,基本不存在光衰退;在靠近过渡区微晶一侧的硅材料虽然不是完全不衰退,但相比高晶化率硅材料来说更适合制备高效微晶硅电池.