PTCDA/ITO表面和界面的AFM和XPS分析

• 作者: 宋珍 张福甲 桂文明 欧谷平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 原子力显微镜 X射线光电子能谱 PTCDA
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 229-234
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 1228字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.02.006

摘要

利用X射线光电子能谱(XPS)对苝四甲酸二酐[3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride(PTCDA)]/铟锡氧化物(ITO)表面和界面进行了研究.用原子力显微镜(AFM)对PTCDA/ITO样品的表面形貌进行了分析.XPS表明,在原始表面的C1s精细谱存在两个主谱峰和一个伴峰,主谱峰分别由结合能为284.6eV的苝环中的C原子和结合能为288.7eV的酸酐基团中的C原子激发;而结合能为290.4eV的伴峰的存在,说明发生了来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象.O原子在C=O键和C-O-C键的结合能分别为531.5和533.4eV.在界面处,C1s谱中较高结合能峰消失,且峰值向低结合能方向发生0.2eV的化学位移;O1s谱向低结合能方向发生1.5eV的化学位移.由此可以推断,在界面处PTCDA与ITO的结合是PTCDA中的苝环与ITO中的In空位的结合.AFM的结果显示,PTCDA薄膜为岛状结构,岛的直径约为100～300nm,表面起伏约为14nm.相邻两层PTC-DA分子由于存在离域大π键而交叠和PTCDA分子中的苝环与ITO的In空位的紧密结合是最终导致PTCDA岛状结构形成的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	欧谷平	兰州大学物理系	27	88	6.0	7.0
2	宋珍	北京机械工业学院基础部	13	40	5.0	5.0
3	桂文明	兰州大学物理系	10	56	5.0	7.0
4	张福甲	兰州大学物理系	71	318	9.0	14.0