室温全电可操作的InAs/GaAs量子点存储器

• 作者: Balocco C Song A M 杜军 王卿璞
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InAs/GaAs量子点 存储器 偏压降温 深能级
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 363-367
• 页数: 5页
• 分类号: O472.4
• 字数: 2271字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.02.032

摘要

报道基于高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的InAs/GaAs量子点存储器,它既可以在室温下工作,又可以完全由栅极电压来控制其存储状态.在室温下通过对InAs/GaAs量子点存储器的延滞回线、偏压降温C-V等特性的实时测试,证明了其存储机理是由量子点层的深能级引起的,而并非是由量子点本征能级的充、放电所造成的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜军	山东大学物理与微电子学院	16	58	5.0	6.0
2	王卿璞	山东大学物理与微电子学院	32	527	13.0	22.0