降低硅片表面微粗糙度的预氧化清洗工艺

• 作者: 周旗钢 库黎明 王敬
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 预氧化 氧化层 各向异性腐蚀 微粗糙度
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1331-1334
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.97
• 字数: 3075字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.07.035

摘要

利用原子力显微镜研究了预氧化清洗工艺对清洗后的硅片表面微粗糙的影响,并通过建立表面氧化过程的分子模型和氧化层模型来进行相应的机理分析.结果表明,硅片表面在含有氧化剂H2O2的溶液中生成一层氧化层后,能基本消除OH-对硅片表面的各向异性腐蚀,清洗后的表面微粗糙度比清洗前小,并且随SC-1清洗过程中NH4OH浓度的增大而减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周旗钢		35	176	8.0	12.0
2	王敬	清华大学微电子学研究所	9	53	5.0	7.0
3	库黎明		3	33	3.0	3.0