稀土金属硅化物的场发射

• 作者: 叶凡 段辉高 王晓明 谢二庆
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 稀土金属硅化物 场发射 FN曲线
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 202-204
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.3
• 字数: 1985字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.051

摘要

用金属蒸发真空弧离子注入方法制备了各种稀土金属的硅化物,定义1μA/cm2时的电场为开启电场,发现它们的开启电场在15～20V/μm之间.用电子束对其进行退火处理后,开启电场降到10V/μm以下,而场发射密度可以提高一个数量级.它们良好的场发射性能归因于稀土金属硅化物本身热稳定性好,功函数低.用FN理论对场发射的机理进行了分析,发现其FN曲线明显分成了两段,这可能是因为在场发射过程中引起的温度效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢二庆	兰州大学物理科学与技术学院	84	371	11.0	14.0
2	段辉高	兰州大学物理科学与技术学院	4	3	1.0	1.0
3	叶凡	兰州大学物理科学与技术学院	6	21	2.0	4.0
4	王晓明	兰州大学物理科学与技术学院	5	4	1.0	1.0