MOCVD法制备磷掺杂p型ZnO薄膜

• 作者: 叶志镇 吕建国 周新翠 徐伟中 朱丽萍 缪燕 赵炳辉 陈福刚 黄靖云
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: p-ZnO 金属有机化学气相沉积 磷掺杂
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 91-95
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2944字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.01.019

摘要

利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型ZnO薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明:生长温度为400～450℃时获得了p型ZnO薄膜,而且在420℃时,其电学性能最好,空穴浓度为1.61×1018cm-3,电阻率为4.64Ω·cm,迁移率为0.838cm2/(V·s).霍尔测试和低温光致发光谱证实了该ZnO薄膜的p型导电特性,并观察到薄膜位于3.354eV与中性受主束缚激子相关的发射峰.