Si衬底InGaN/GaN多量子阱LED外延材料的微结构

• 作者: 朱华 李翠云 江风益 莫春兰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN Si衬底 LED 位错 TEM DCXRD
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1950-1954
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2688字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.11.012

摘要

用透射电子显微镜(TEM)和X射线双晶衍射仪(DCXRD)对在Si(111)衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(MQW)LED外延材料的微结构进行了观察和分析.从TEM高分辨像观察到,在Si和AlN界面处未形成SixNy非晶层,在GaN/AlN界面附近的GaN上有堆垛层错存在,多量子阱的阱(InGaN)和垒(GaN)界面明锐、厚度均匀;TEM和DCXRD进一步分析表明MQW附近n型GaN的位错密度为10acm-2量级,其中多数为b=1/3〈112-0〉的刃位错.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	莫春兰	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	24	177	7.0	12.0
2	江风益	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	60	527	12.0	19.0
3	朱华	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	30	108	6.0	8.0
5	李翠云	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	19	69	6.0	6.0