SiGeC/Si功率二极管的数值模拟与分析

• 作者: 余明斌 刘静 马丽 高勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGeC/Si异质结 功率二极管 反向恢复 漏电流
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1068-1072
• 页数: 5页
• 分类号: TN313+.4
• 字数: 4358字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.06.024

摘要

将SiGeC技术应用于功率半导体器件的特性改进,提出了一种新型p+(SiGeC)-n--n+异质结功率二极管结构.在分析SiGeC合金材料物理特性的基础上,给出了该结构的关键物理参数模型,并在此基础上利用MEDICI模拟,对比分析了C的引入对器件各种电特性的影响.此外,还模拟比较了不同p+区厚度对器件反向漏电流的影响.结果表明:在SiGe/Si功率二极管中加入少量的C,在基本不影响器件正向I-V特性和反向恢复特性的前提下,大大减少了器件的反向漏电流,并且C的加入还减小了器件特性对材料临界厚度的依赖性,提高了器件稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马丽	西安理工大学应用物理系	23	62	4.0	6.0
2	高勇	西安理工大学电子工程系	189	1184	15.0	26.0
3	刘静	西安理工大学电子工程系	58	261	8.0	14.0
4	余明斌	西安理工大学应用物理系	8	79	5.0	8.0