MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN/AlN/GaN HEMT结构

• 作者: 刘新宇 李建平 李晋闽 王占国 王晓亮 王翠梅 罗卫军 肖红领 胡国新 钱鹤 陈晓娟 马志勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN 高电子迁移率管 MOCVD 功率器件 碳化硅衬底
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1521-1525
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 959字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.09.001

摘要

用MOCVD技术在高阻6H-SiC衬底上研制出了具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料,其室温和80K时二维电子气迁移率分别为1944和11588cm2/(V·s),相应二维电子气浓度为1.03×1013cm-2;三晶X射线衍射和原子力显微镜分析表明该材料具有良好的晶体质量和表面形貌,10μm×10μm样品的表面粗糙度为0.27nm.用此材料研制出了栅长为0.8μm,栅宽为1.2mm的HEMT器件,最大漏极饱和电流密度和非本征跨导分别为957mA/mm和267mS/mm.