SiGe HBT大信号等效电路模型

• 作者: 侯慧 区健锋 吕懿 张鹤鸣 戴显英 王伟 王喜嫒 胡辉勇
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT 等效电路模型 PSPICE
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 403-408
• 页数: 6页
• 分类号: TN91
• 字数: 3620字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.01.070

摘要

基于SiGeHBT(异质结双极晶体管)的物理模型,建立了描述SiGeHBT的大信号等效电路模型.该等效电路模型考虑了准饱和效应和自热效应等,模型分为本征和非本征两部分,物理意义清晰,拓扑结构相对简单.该模型嵌入了PSPICE软件的DEVEO(器件方程开发包)中.在PSPICE软件资源的支持下,利用该模型对SiGe HBT器件进行了交直流特性模拟分析,模拟结果与理论分析结果相一致,并且与文献报道的结果符合较好.