Ga3+掺杂对纳米氧化锌粉体导电性能的影响

• 作者: 刘建 杜尚丰 梁云 陈运法 高卫民
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 导电氧化锌 Ga3+掺杂 共沉淀
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 1139-1142
• 页数: 4页
• 分类号: TQ132.4
• 字数: 3832字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2006.07.031

摘要

采用液相共沉淀方法,以ZnSO4·7H2O为原料,GaCl3为掺杂化合物,NH4HCO3为沉淀剂合成碱式碳酸锌前驱体,通过在H2气氛下煅烧,制得Ga3+均匀掺杂的纳米氧化锌导电粉体.利用SEM,TEM,XRD,XPS和BET等分析手段对粉体的性能进行表征.结果表明,这种方法合成的导电氧化锌粉体材料颗粒尺寸较小、粒度分布均匀(约在20 nm～40 nm的范围内),颗粒呈类球状形貌,具有较好的分散性能.研究了Ga3+掺杂对氧化锌粉体导电性能的影响.结果表明,在Ga3+掺杂量为2.2mol%时,制得的氧化锌粉体的导电性能最好,体积电阻率达到2.0Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘建	中国科学院过程工程研究所	76	1345	21.0	35.0
2	陈运法	中国科学院过程工程研究所	98	736	15.0	22.0
3	梁云	中国科学院过程工程研究所	4	32	3.0	4.0
4	杜尚丰	中国科学院过程工程研究所	2	25	2.0	2.0
5	高卫民	中国科学院过程工程研究所	3	28	3.0	3.0