体硅高压LDMOS器件电学特性温度效应的研究

• 作者: 刘侠 王钦
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 体硅LDMOS 等温 非等温 负阻效应
• 年，卷（期）: 2006,（23）
• 所属期刊栏目: 电子技术
• 页码范围: 124-126
• 页数: 3页
• 分类号: TP333.5+2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2006.23.046

摘要

从等温和非等温两个角度,在250 K～573 K(-23℃～300℃)范围内,对体硅高压LDMOS的主要电学参数随温度的变化进行了研究.系统地研究了体硅高压LDMOS阈值电压、导通电阻和饱和电流等主要电学参数的温度效应及其机理.