以Si3N4作增透膜的Si基Ge量子点探测器的研究

• 作者: 刘理天 张爽 张璟 王民生 邓宁 陈培毅 魏榕山
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 增透膜 气态源分子束外延 量子点 量子点红外探测器 暗电流密度 响应度
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 光微纳器件
• 页码范围: 1771-1774
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 1910字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2006.05.122

摘要

设计并制作了以Si3N4作增透膜的Si基Ge量子点红外探测器.采用气态源分子束外延(GSMBE)方法在Si(100)衬底上生长了20层的自组织Ge量子点.在此基础上,流水制作了p-i-n结构的量子点红外探测器.为了提高探测器的响应度,采用Si3N4作为增透膜以增强探测器对入射光的吸收.用传输矩阵方法模拟的结果显示,185上nm厚的Si3N4增透膜可以使探测器在1310 nm波长处具有较高的吸收率.根据此结果,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在探测器表面淀积了185 nm的Si3N4.在室温下,测得量子点探测器在1.31μm处的响应度为8.5 mA/W,跟没有增透膜的器件相比,响应度提高了将近30倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天	清华大学微电子学研究所	230	1519	19.0	23.0
2	陈培毅	清华大学微电子学研究所	52	245	10.0	12.0
3	邓宁	清华大学微电子学研究所	34	145	7.0	10.0
4	张爽	清华大学微电子学研究所	10	157	5.0	10.0
5	魏榕山	清华大学微电子学研究所	2	14	2.0	2.0
6	王民生	清华大学微电子学研究所	3	19	2.0	3.0
7	张璟	英国帝国理工学院Blackett实验室	1	2	1.0	1.0