ZnSe/SiO2复合薄膜光学常数与荧光光谱的研究

• 作者: 姚熹 姜海青 汪敏强 车俊
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnSe/SiO2复合薄膜 光学性质 椭偏光度法 荧光光谱
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 2084-2091
• 页数: 8页
• 分类号: O4
• 字数: 5220字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.04.090

摘要

采用溶胶-凝胶工艺与原位生长技术,制备了ZnSe/SiO2复合薄膜.X射线衍射分析表明薄膜中ZnSe晶体呈立方闪锌矿结构.X射线荧光分析结果显示薄膜中Zn与Se摩尔比为1:1.01-1:1.19.利用场发射扫描电子显微镜观察了复合薄膜的表面形貌,结果表明复合薄膜表面既存在尺寸约为400nm的ZnSe晶粒,也存在尺寸小于100nm的ZnSe晶粒.利用椭偏仪测量了薄膜椭偏角Ψ,Δ与波长λ的关系,采用Maxwell-Garnett有效介质理论对薄膜的光学常数、厚度、气孔率、ZnSe的浓度进行了数据拟合.利用荧光光谱分析了薄膜的光致发光,结果表明在波长为395nm的激发光下,487nm的发射峰对应着闪锌矿型ZnSe的带边发射,同时也观测到薄膜中ZnSe晶体增强的自由激子发射及伴随着ZnSe晶体缺陷而产生的辐射发光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚熹	西安交通大学电子材料与器件研究所电子陶瓷与器件教育部重点实验室	172	1611	18.0	30.0
2	汪敏强	西安交通大学电子材料与器件研究所电子陶瓷与器件教育部重点实验室	39	492	11.0	21.0
3	车俊	西安交通大学电子材料与器件研究所电子陶瓷与器件教育部重点实验室	9	49	4.0	7.0
4	姜海青	西安交通大学电子材料与器件研究所电子陶瓷与器件教育部重点实验室	7	26	3.0	5.0