用SCLC法研究低k多孔SiO2:F薄膜的隙态密度

• 作者: 何志巍 潘国辉 王印月 缑洁
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 隙态密度 SCLC 多孔SiO2:F 低k
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2936-2940
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3563字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.06.047

摘要

用溶胶-凝胶法制备了低k多孔SiO2:F薄膜,用空间电荷限制电流法(SCLC)研究了多孔SiO2:F薄膜中的隙态密度以及掺F量对隙态密度的影响,得到了平衡费米能级附近的隙态密度约为7×1015 cm-3·eV-1,以及带隙中隙态随能量的分布.并对造成隙态的主要原因也进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何志巍	兰州大学物理系	7	100	5.0	7.0
2	王印月	兰州大学物理系	39	567	15.0	23.0
3	缑洁	兰州大学物理系	2	4	1.0	2.0
4	潘国辉	兰州大学物理系	1	1	1.0	1.0