脉冲激发三能级体系半导体量子点的单光子发射效率

• 作者: 刘绍鼎 周慧君 李耀义 王取泉 程木田 薛其坤
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体量子点 单光子发射 三能级系统
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 唯象论的经典领域
• 页码范围: 1781-1786
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 2628字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.04.039

摘要

研究了脉冲激发下单个半导体量子点中单光子发射的统计特性.在旋转波近似条件下,由系统粒子数演化主方程并结合量子回归理论推导了二阶相关函数的运动方程,利用此方程讨论了二阶相关函数随输入脉冲面积的关系.在窄脉冲宽度的脉冲激发下,单光子的发射概率p和效率η都随着强度的增强而产生振荡.研究表明,采用窄脉冲宽度,当输入脉冲面积在π附近时可以得到较高的单光子发射效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛其坤	中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室	25	89	5.0	8.0
2	王取泉	武汉大学物理系	19	88	6.0	8.0
3	刘绍鼎	武汉大学物理系	8	12	2.0	2.0
4	周慧君	武汉大学物理系	6	16	2.0	4.0
5	程木田	武汉大学物理系	6	11	2.0	2.0
6	李耀义	武汉大学物理系	2	5	2.0	2.0