原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
提出了一种结构简单、功能可靠的CMOS过流保护电路.通过增加foldback功能有效地降低了电路损失的功耗,并且提高了系统的可靠性.在SAMSUNG 0.6μm CMOS工艺下,Hspice模拟仿真结果证明该电路工作可靠、性能优良,可广泛应用于功率开关器件如MOSFET的保护电路中.
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文献信息
篇名 一种低功耗高可靠性的CMOS过流保护电路
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 过流保护 低功耗 foldback CMOS MOSFET
年,卷(期) 2006,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 52-54
页数 3页 分类号 TN4
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-7180.2006.01.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 冯全源 西南交通大学微电子研究所 261 1853 19.0 26.0
2 程晓洁 西南交通大学微电子研究所 2 44 2.0 2.0
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研究主题发展历程
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过流保护
低功耗
foldback
CMOS
MOSFET
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
9826
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