FeCuCrVSiB单层和多层膜的横向巨磁阻抗效应

• 作者: 姜山 王文静 萧淑琴 袁慧敏 颜世申
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 铁基合金 多层膜 巨磁阻抗效应
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 6108-6112
• 页数: 5页
• 分类号: O6
• 字数: 3248字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.089

摘要

用射频溅射法制备了Fe71.5Cu1Cr2.5V4Si12B9单层膜和结构为(F/S)3/M/(F/S)3的多层膜,在制备过程中加72kA/m的纵向磁场.研究表明在制备过程中加磁场明显改善了材料的软磁性能,降低了材料的矫顽力.将样品经不同温度退火热处理后,发现经230℃退火1.5h的单层膜和多层膜具有最佳的软磁性能和最大的磁阻抗效应,单层膜最大横向磁阻抗比为37.5%,多层膜最大横向磁阻抗比高达277%.通过比较单层和多层膜磁阻抗效应随频率和磁场的变化,发现多层膜具有较低的磁阻抗效应的临界频率和峰值特征频率,和较大的磁阻抗变化率,而且有较低的横向磁阻抗效应的饱和场.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	颜世申	山东大学物理与微电子学院	8	34	4.0	5.0
2	王文静	山东大学物理与微电子学院	12	18	2.0	3.0
3	袁慧敏	山东大学物理与微电子学院	2	7	2.0	2.0
4	姜山	山东大学物理与微电子学院	11	72	6.0	8.0
5	萧淑琴	山东大学物理与微电子学院	13	99	5.0	9.0