CdSe/ZnSe异质结构中Zn1-xCdx Se量子岛(点)的显微荧光光谱和显微拉曼光谱研究

• 作者: 柏利慧 沈学础 王防震 陈张海 黄少华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CdSe 荧光 Raman
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2628-2632
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 4164字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.089

摘要

利用显微荧光和显微拉曼光谱,研究了分子束外延生长的CdSe/ZnSe异质结构中,由两种不同机理形成的两类具有不同尺寸和组分的Zn1-xCdxSe量子岛.4.2 K时的显微荧光光谱表明,当CdSe淀积厚度由1.8 ML增加到2.3ML时,Zn1-xCdxSe量子岛的激子荧光峰有166 meV的较大红移,这是量子岛尺寸改变引起的量子限制势能变化所不能完全解释的.经过对样品的显微荧光和显微拉曼光谱的对比分析,发现还存在另外两种引起量子岛荧光峰较大红移的机理:一方面是因为随着CdSe淀积厚度的增加,具有更低能态的大岛密度的增加,并逐渐取代小岛而主导Zni-xCdxSe量子岛的荧光性质;另一方面是由于CdSe/ZnSe量子结构中的两类量子岛的Cd组分浓度也会随CdSe淀积厚度的增加而增加,从而引起量子岛荧光峰的较大红移.