考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型

• 作者: 季峰 徐静平 李艳萍 许胜国 陈卫兵
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 阈值电压 量子效应 短沟道效应 高k栅介质
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3670-3676
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 3506字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.078

摘要

通过数值方法求解泊松方程和薛定谔方程的自洽解,提出了考虑量子效应时不同于经典理论的阈值条件,并得出了精确的一维阈值电压模型,模拟结果与实验十分符合.在此基础上,基于准二维泊松方程,通过考虑短沟道效应和量子效应,建立了较为精确的适合于小尺寸MOSFET的量子修正阈值电压模型,模型同样适用于(超)深亚微米高k栅介质MOSFET电特性的模拟和结构参数的设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静平	华中科技大学电子科学与技术系	88	358	9.0	13.0
2	陈卫兵	华中科技大学电子科学与技术系	22	129	7.0	10.0
3	李艳萍	华中科技大学电子科学与技术系	36	353	8.0	17.0
4	许胜国	华中科技大学电子科学与技术系	7	16	2.0	3.0
5	季峰	华中科技大学电子科学与技术系	9	34	4.0	5.0