渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料

• 作者: 周帆 安欣 张靖 潘教青 王圩 王宝军 王鲁峰 赵玲娟 赵谦 边静
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 超低压 选择区域生长 渐变掩蔽图形
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2982-2985
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2363字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.06.055

摘要

采用超低压(22 mbar)选择区域生长(Selective Area Growth,SAG)金属有机化学汽相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)技术成功制备了高质量InGaAsP/InGaAsP多量子阱(Multiple Quantum Well,MQW)材料.在较小的掩蔽宽度变化范围内(15-30μm),得到了46nm的光荧光(Photoluminescence,PL)波长偏移量,PL半高宽(FullWidth-at-Half-Maximum,FWHM)小于30 meV.为了保证选择区域内的MQWs材料的均匀性,我们采用了新型的渐变掩蔽图形,并且运用这种新型渐变掩蔽图形,研究了渐变区域的过渡效应对材料生长的影响.我们还观察到,渐变区域的能量偏调量随着掩蔽图形宽度与渐变区域长度比值的增大而出现饱和现象.