脉冲磁场处理对碳纳米管掺杂MgB2线材临界电流密度的影响

• 作者: 朱明原 李文献 李瑛 窦士学 金红明 陈荣华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MgB2 碳纳米管 脉冲磁场处理
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4878-4882
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2081字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.09.081

摘要

对碳纳米管(CNT)掺杂MgB2超导体磁场处理后的行为进行了研究. 结果表明,CNT掺杂MgB2超导体经5T脉冲磁场处理后临界电流密度Jc(H)在低磁场下提高了2-3倍,高场下提高一个数量级以上,扫描电镜结果显示CNT沿着处理磁场方向规则排列并且成为MgB2基体的形核中心和高效的磁通钉扎中心.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李瑛	上海大学材料科学与工程学院	15	60	6.0	7.0
2	朱明原	上海大学材料科学与工程学院	21	212	7.0	14.0
3	陈荣华	上海大学材料科学与工程学院	1	3	1.0	1.0
4	李文献	上海大学材料科学与工程学院	5	3	1.0	1.0
5	金红明	上海大学材料科学与工程学院	11	69	4.0	8.0