离子束增强沉积制备p型氧化锌薄膜及其机理研究

• 作者: 李金华 王秀琴 范利宁 袁宁一 谢建生
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化锌薄膜 p型掺杂 离子束增强沉积
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 3581-3584
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 3157字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.063

摘要

采用离子束增强沉积方法在Si和SiO2/Si衬底上制备In-N共掺杂ZnO薄膜(INZO),溅射靶是用ZnO和2 atm%In2O3粉体均匀混合并压制而成,在氩离子溅射ZnO靶的同时,氮、氩混合离子束垂直注入沉积的薄膜.实验结果显示INZO薄膜具有(002)的择优取向,并且为p型导电,电阻率最低为O.9Ωcm.薄膜在氮气、氧气气氛下退火,对薄膜的结构和电学特性与成膜和退火条件的关系进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李金华	江苏工业学院功能材料实验室	33	277	9.0	15.0
2	谢建生	江苏工业学院功能材料实验室	9	68	4.0	8.0
3	袁宁一	江苏工业学院功能材料实验室	26	154	8.0	10.0
4	范利宁	江苏工业学院功能材料实验室	4	30	3.0	4.0
5	王秀琴	江苏工业学院功能材料实验室	6	23	4.0	4.0