Si-OH基团对SiCOH低k薄膜性能的影响与控制

• 作者: 俞笑竹 叶超 宁兆元 王婷婷 辛煜
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiCOH薄膜 Si-OH结构 介电性能 ECR放电等离子体
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2606-2612
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 4395字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.085

摘要

研究了十甲基环五硅氧烷(D5)的电子回旋共振等离子体沉积的SiCOH薄膜中Si-OH基团对介电性能和漏电流的影响.结果表明Si-OH含量的增大会导致介电常数k的增大、漏电流的降低和介电色散的增强.由于Si-OH结构的强极化补偿了薄膜密度减小带来的介电常数降低,导致总的介电常数k增大.高Si-OH含量下漏电流的降低是由于封端的Si-OH基团降低了薄膜中Si-O网络的连通概率p而导致网络电导下降的缘故.介电色散的增强与Si-OH封端结构的快极化过程有关.改变放电参数以提高电子能量,从而提高源的电离程度,使更多的Si-OH基团断裂并通过缩合反应形成Si-O-Si网络,可以进一步降低薄膜的介电常数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁兆元	苏州大学物理科学与技术学院江苏省薄膜材料重点实验室	70	528	12.0	18.0
2	辛煜	苏州大学物理科学与技术学院江苏省薄膜材料重点实验室	38	176	8.0	10.0
3	叶超	苏州大学物理科学与技术学院江苏省薄膜材料重点实验室	33	244	10.0	14.0
4	王婷婷	苏州大学物理科学与技术学院江苏省薄膜材料重点实验室	26	109	7.0	9.0
5	俞笑竹	苏州大学物理科学与技术学院江苏省薄膜材料重点实验室	4	20	3.0	4.0