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摘要:
利用分子动力学方法模拟计算了单晶铜中纳米孔洞在沿<111>晶向冲击加载下增长的早期过程.测量发现不同加载强度下等效孔洞半径随时间近似成线性变化.观测到单孔洞增长的两种位错生长机理:加载强度较低时,只在沿着冲击加载方向的孔洞顶点附近区域有位错的成核和运动;而随着加载强度超过一定阈值,在沿冲击加载和其垂直方向的孔洞顶点区域都观察到位错的成核和运动.在前一种机理作用下,孔洞只沿加载方向增长;在后一种机理作用下,孔洞同时沿加载和垂直于加载方向增长.分析孔洞表面原子的位移历史,发现沿加载及与其垂直方向的孔洞顶点沿径向的速度基本恒定,由此提出了一个孔洞生长模型,可以解释孔洞增长的线性生长规律.
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篇名 《111》晶向冲击加载下单晶铜中纳米孔洞增长的早期动力学行为
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 纳米孔洞 分子动力学 冲击加载 位错
年,卷(期) 2006,(9) 所属期刊栏目 唯象论的经典领域
研究方向 页码范围 4767-4773
页数 7页 分类号 O37
字数 6050字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.09.064
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 伍登学 四川大学物理科学与技术学院 21 74 5.0 8.0
2 贺红亮 中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理重点实验室 66 591 12.0 21.0
3 祝文军 中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理重点实验室 30 189 8.0 12.0
5 邓小良 中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理重点实验室 6 41 4.0 6.0
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分子动力学
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物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
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1933
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中国工程物理研究院基金
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