NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结的隧穿电导和隧穿磁电阻

• 作者: 朱林 李伯臧 谢征微 陈卫东
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 双自旋过滤隧道结 隧穿磁电阻 非磁绝缘(半导)体间隔层
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5499-5505
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 3664字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.10.086

摘要

在NM/FI/FI/NM型双自旋过滤隧道结(此处NM为非磁金属层,FI为铁磁绝缘体或半导体层)的基础上,我们提出一种NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结(此处NI表示非磁绝缘体或半导体层). 插入NI层的目的是为了避免原双自旋过滤隧道结中相邻FI层界面处磁的耦合作用所导致的对隧穿磁电阻的不利影响. 在自由电子近似的基础上,利用转移矩阵方法,对NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结的隧穿电导、隧穿磁电阻与FI层及NI层厚度的变化关系以及随偏压的变化关系进行了理论研究.计算结果表明,在NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结中仍可以得到很大的TMR值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李伯臧	四川师范大学物理系与电子工程学院	13	28	3.0	5.0
3	朱林	四川师范大学物理系与电子工程学院	5	7	2.0	2.0
4	谢征微	四川师范大学物理系与电子工程学院	28	38	4.0	4.0
5	陈卫东	四川师范大学物理系与电子工程学院	8	38	3.0	6.0