FeS2多晶薄膜电子结构的实验研究

• 作者: 奎热西 张仁刚 张哲 张辉 王宝义 苏润 钱海杰 魏龙
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射 二硫化铁 X射线吸收近边结构 电子结构
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2482-2487
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3897字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.061

摘要

用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2.采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构.结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe 3d态密度存在,同时,在价带谱中2-10eV处有强度较大的S 3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2.1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2.4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2.8eV.