p型GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱中二维空穴气的研究

• 作者: 何政 徐运华 汤英文 游达 许金通 龚海梅
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlGaN 二维空穴气 极化效应
• 年，卷（期）: 2006,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 6600-6605
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4703字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.12.070

摘要

对Ga面p型GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变异质结构中形成的二维空穴气(2DHG)进行了研究.首先基于半导体-绝缘体-半导体异质结构模型确定了应变异质中的临界厚度,然后自洽求解薛定谔方程和泊松方程,计算了当中间势垒层AlGaN处于完全应变状态和半应变状态两种条件下,顶层GaN及中间层AlGaN厚度的变化对2DHG分布的影响.计算结果表明,势垒层AlGaN和顶层GaN的应变状态和厚度对极化引起的2DHG面密度及分布有重要影响.在此基础上制备了p型GaN/Al0.35 Ga0.65N/GaN应变量子阱结构肖特基器件,并通过器件的C-V测试证实了异质结处2DHG的存在.器件响应光谱的测试结果表明,由于p型GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN量子阱中强烈的极化作用和Stark效应使得器件零偏压和反向偏压时的响应光谱都向短波方向移动了10 nm,在零偏压下器件在280 nm处的峰值响应为0.022 A/W,在反向偏压为1 V时,峰值响应达到0.19 A/W,已经接近理论值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚海梅	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	69	451	10.0	18.0
2	许金通	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	21	40	4.0	5.0
3	何政	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	4	5	1.0	2.0
4	徐运华	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	6	32	4.0	5.0
5	汤英文	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	3	13	2.0	3.0
6	游达	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	2	5	1.0	2.0