电子束光刻的邻近效应及其模拟

• 作者: 丁泽军 孙霞 尤四方 肖沛
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子束光刻 邻近效应 Monte Carlo
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 148-154
• 页数: 7页
• 分类号: O56
• 字数: 4689字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.01.027

摘要

用Monte Carlo方法模拟和分析了电子束光刻中限制其分辨率的主要因素--邻近效应的影响.分析了入射电子束的形状、入射电子的能量、衬底材料和厚度对邻近效应大小的影响,并与实验结果进行了比较,发现模拟结果与实验结果符合得很好.分析表明高斯分布的电子束比理想电子束的邻近效应大;衬底原子序数越大,衬底越厚,入射电子束能量越低,邻近效应越大.