Mg掺杂ZnO所致的禁带宽度增大现象研究

• 作者: 娄世云 孔德国 李蕴才 杜祖亮 靳锡联
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 密度泛函理论 赝势 Mg掺杂ZnO
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4809-4815
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 3963字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.09.070

摘要

采用第一性原理的超软赝势方法,研究了纤锌矿ZnO及不同量Mg掺杂ZnO合金的电子结构.理论计算表明,Mg的掺杂导致ZnO晶体的禁带宽度增大.研究发现,Zn 4s态决定导带底的位置,Mg的掺入导致Zn 4s态向高能端的偏移是导致禁带宽度增大的根本原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜祖亮	河南大学特种功能材料重点实验室	128	1108	17.0	27.0
2	李蕴才	河南大学特种功能材料重点实验室	48	492	13.0	20.0
3	娄世云	河南大学特种功能材料重点实验室	2	85	1.0	2.0
4	靳锡联	河南大学特种功能材料重点实验室	1	85	1.0	1.0
5	孔德国	河南大学特种功能材料重点实验室	1	85	1.0	1.0