负离子元素杂质破坏模型

• 作者: 吴师岗 范正修 邵建达
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 负离子元素杂质 缺陷 吸收
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1987-1990
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2638字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.04.073

摘要

探讨了HfO2薄膜中负离子元素杂质破坏模型,并得出薄膜中的杂质主要来源于镀膜材料.用电子束蒸发方法沉积两种不同Cl元素含量的HfO2薄膜,测定薄膜弱吸收和损伤阈值来验证负离子元素破坏模型. 结果表明,随着Cl元素含量的增加薄膜的弱吸收增加损伤阈值减小. 这主要是因为负离子元素在蒸发过程中形成挥发性的气源中心而产生缺陷,缺陷在激光辐照过程中又形成吸收中心. 因此负离子元素的存在将加速薄膜的破坏.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵建达	中国科学院上海光学精密机械研究所	212	2131	21.0	29.0
2	范正修	中国科学院上海光学精密机械研究所	203	2312	23.0	32.0
3	吴师岗	中国科学院上海光学精密机械研究所	5	31	4.0	5.0