长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备

• 作者: 丁颖 周帆 朱洪亮 潘教青 王圩 王宝军 王鲁峰 赵玲娟 赵谦
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD InGaAs/InGaAsP 应变量子阱 分布反馈激光器
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 唯象论的经典领域
• 页码范围: 5216-5220
• 页数: 5页
• 分类号: TN2
• 字数: 2900字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.10.039

摘要

采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6-1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术,得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱,加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA),输出功率高(100mA时大于14mW).从10-40℃,1.74μm激光器的特征温度T0=57K,和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当.