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摘要:
采用金属有机物化学气相沉积方法生长得到具有不同Mg掺杂浓度InxGa1-xN (0≤x≤0.3)外延材料样品. 对样品的电学特性和光学特性进行了系统的研究. 研究发现:在固定Mg掺杂浓度下,随In组分的提高,样品空穴浓度显著提高,最高达2.4×1019cm-3,Mg的活化效率提高了近两个数量级;通过对Mg掺杂InGaN(InGaN:Mg)样品的光致发光(PL)谱的分析,解释了InGaN:Mg样品的载流子跃迁机理,并确定了样品中Mg受主激活能和深施主能级的位置.
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文献信息
篇名 高空穴浓度Mg掺杂InGaN外延材料性能的研究
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 Mg掺杂InGaN 高空穴浓度 光致发光 金属有机物化学气相沉积
年,卷(期) 2006,(9) 所属期刊栏目 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向 页码范围 4951-4955
页数 5页 分类号 O4
字数 3055字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.09.094
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研究主题发展历程
节点文献
Mg掺杂InGaN
高空穴浓度
光致发光
金属有机物化学气相沉积
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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