高空穴浓度Mg掺杂InGaN外延材料性能的研究

• 作者: 刘乃鑫 刘建平 张念国 李彤 沈光地 牛南辉 王怀兵 邢艳辉 郭霞 韩军
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Mg掺杂InGaN 高空穴浓度 光致发光 金属有机物化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4951-4955
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3055字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.09.094

摘要

采用金属有机物化学气相沉积方法生长得到具有不同Mg掺杂浓度InxGa1-xN (0≤x≤0.3)外延材料样品. 对样品的电学特性和光学特性进行了系统的研究. 研究发现:在固定Mg掺杂浓度下,随In组分的提高,样品空穴浓度显著提高,最高达2.4×1019cm-3,Mg的活化效率提高了近两个数量级;通过对Mg掺杂InGaN(InGaN:Mg)样品的光致发光(PL)谱的分析,解释了InGaN:Mg样品的载流子跃迁机理,并确定了样品中Mg受主激活能和深施主能级的位置.