一种减少内存访问延时的方法

• 作者: 唐志敏 李文
• 来源期刊: 计算机工程
• 学科: 工学
• 关键词: SDRAM Open page 预充电
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 工程应用技术与实现
• 页码范围: 242-244
• 页数: 3页
• 分类号: TP302
• 字数: 4013字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3428.2006.03.087

摘要

提出了一种减少内存访问延时的方法.该方法通过使用bank访问历史表中的信息来指导进行预充电的合理时机,以此来达到减少内存访问延时的目的.实验结果表明,该方法能够明显减少内存的访问延时.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李文	中国科学院计算技术研究所	179	2992	32.0	43.0
5	唐志敏	中国科学院计算技术研究所	57	942	17.0	29.0