高压功率MOSFET结终端保护技术及其组合优化设计

• 作者: 李开航 郭东辉 陈利
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 高压 功率MOSFET 结终端保护 场板 场限环
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 数控技术
• 页码范围: 71-74,78
• 页数: 5页
• 分类号: TN323+.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2006.11.024

摘要

场板与场限环是用来提高功率MOSFET抗电压击穿能力的常用结终端保护技术,文章将分别介绍场板与场限环结终端保护技术各自的特点和耐压敏感参数,通过场板和场限环的互补组合来优化设计一款高耐压的VDMOS器件结构,最后采用ATHENA(工艺模拟)和ATLAS(器件模拟)工具来仿真验证优化设计的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭东辉		129	1611	20.0	35.0
3	李开航		31	74	5.0	6.0
4	陈利		4	22	2.0	4.0