一种低压低功耗共源共栅带隙基准电压源的实现

• 作者: 冯全源 张科
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: 带隙基准 PTAT 低压共源共栅电流镜 BiCMOS
• 年，卷（期）: 2006,（29）
• 所属期刊栏目: 电子设计
• 页码范围: 99-101
• 页数: 3页
• 分类号: TN431.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-0570.2006.29.038

摘要

提出了一种低压低功耗的带隙基准电压源电路,设计基于0.5μm 2P3M BiCMOS Process,并使用了低压共源共栅电流镜结构减少了对电源电压的依赖,消除了精度与余度之间的矛盾,并用HL50S-S3.1S.lib库文件用HSPICE进行了仿真,其电源抑制比PSRR大约为-78.9dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张科	成都市西南交通大学微电子研究所	1	3	1.0	1.0
2	冯全源	成都市西南交通大学微电子研究所	1	3	1.0	1.0