高电源抑制比带隙基准电压源的设计

• 作者: 易峰 曾健平 田涛 邹韦华
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准源 电源抑制比 低温度系数
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 984-987
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2230字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.11.017

摘要

提出一种采用0.25 μm CMOS工艺的低功耗、高电源抑制比、低温度系数的带隙基准电压源(BGR)设计.设计中,采用了共源共栅电流镜结构,运放的输出作为驱动的同时也作为自身电流源的驱动,并且实现了与绝对温度成正比(PTAT)温度补偿.使用Hspice对其进行仿真,在中芯国际标准0.25 μm CMOS工艺下,当温度变化范围在-25～125℃和电源电压变化范围为4.5～5.5 V时,输出基准电压具有9.3×10-6 V/℃的温度特性,Vref摆动小于0.12 mV,在低频时具有85 dB以上的电源电压抑制比(PSRR),整个电路消耗电源电流仅为20μA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾健平	湖南大学物理与微电子科学学院	90	672	12.0	22.0
2	田涛	湖南大学物理与微电子科学学院	9	72	6.0	8.0
3	邹韦华	湖南大学物理与微电子科学学院	3	31	3.0	3.0
4	易峰	中电科技集团公司第五十八研究所	2	12	1.0	2.0