40 keV He离子注入单晶Si引起的损伤效应研究

• 作者: 刘昌龙 吕依颖 尹立军 张晓东 王卓
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 单晶Si He离子注入 空腔 He原子热释放 光致发光
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 269-272
• 页数: 4页
• 分类号: O483
• 字数: 3186字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2007.04.008

摘要

室温下使用40 keV He离子注入单晶Si样品到剂量5×1016 cm-2,分别采用透射电子显微镜(TEM)、热解吸谱仪(THDS)、光致发光谱仪(PL)详细地研究了随后热处理过程中He注入空腔的形成、He气体原子的热释放以及注入损伤引起的光致发光特性.结果表明,He离子注入及随后的高温热处理会在单晶Si中产生宽度约为220 nm的空腔带,同时伴随着He气体原子从注入产生的缺陷中释放出来.He气体原子的热释放可以明显地分为两个温度阶段,分别对应于He原子从小的空位型缺陷和大的空腔中的热释放.此外,He离子的注入还会在单晶Si中产生明显发光中心,导致了波长约为680 nm和930 nm的两个光致发光带.该光致发光带的出现可能跟He离子注入及退火过程中产生的纳米Si团簇有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王卓	天津大学理学院	17	160	7.0	12.0
2	刘昌龙	天津大学理学院	20	33	3.0	4.0
4	张晓东	天津大学理学院	14	55	3.0	7.0
7	尹立军	天津大学理学院	3	6	2.0	2.0
8	吕依颖	天津大学理学院	3	6	2.0	2.0