双曲正割平方势与量子阱的电子跃迁

• 作者: 罗诗裕 胡西多 邵明珠
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: 超晶格 量子阱 超几何方程 单粒子能级
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 690-692
• 页数: 3页
• 分类号: O471.5
• 字数: 2498字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2007.05.022

摘要

引入了双曲正割平方势来描述超晶格量子阱中的电子运动, 利用这个相互作用势把电子的Schrdinger方程化为了超几何方程, 并以Ga1-xAlxAs/GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱为例计算了电子的带间跃迁.结果表明,阱内的能级数目和跃迁能量与系统参数有关.于是,可望通过对势阱参数的控制来得到不同光电特性的量子阱材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗诗裕	东莞理工学院电子工程系	125	600	13.0	17.0
2	邵明珠	东莞理工学院电子工程系	109	465	12.0	16.0
3	胡西多	东莞理工学院电子工程系	37	132	7.0	10.0