CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的结构和特点

• 作者: 宁彦卿 王志华 陈弘毅
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 互补金属氧化物半导体 电感电容压控振荡器 交叉耦合 低电压 宽频带
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 21-25
• 页数: 5页
• 分类号: TN75
• 字数: 2195字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.01.005

摘要

在近年来的文献报道中,CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的电路结构变化多端.在不同的设计中,MOS管的类型、数目和连接方式有很多不同的结构.从其基本结构出发总结这些结构,就不同结构MOS管电路对振荡器性能做了简要分析.着重介绍了近年来在理论认识,低电压、低相位噪声和宽频率覆盖设计方面所做的努力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志华	清华大学微电子学研究所	183	1964	21.0	36.0
2	陈弘毅	清华大学微电子学研究所	88	919	19.0	27.0
3	宁彦卿	清华大学微电子学研究所	7	33	3.0	5.0