含InGaAsP的InP DHBT复合式集电区结构设计

• 作者: 于进勇 刘新宇 程伟 金智
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InP/InGaAs HBT 复合式集电区 势垒尖峰
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 943-946
• 页数: 4页
• 分类号: TN322+.8
• 字数: 2928字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.06.024

摘要

为了降低InP DHBT的B-C之间的导带势垒,抑制电流阻挡效应,采用了一种含InGaAsP的复合式集电区结构.第一次从理论上分析了此种类型的复合式集电区各个参数对于DHBT性能的影响并给出了优化方案,为此类型的复合式集电区结构的设计提供了理论指导和设计参考.基于文中所述的理论,对文献中的数据进行了分析,得到了令人满意的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	程伟	中国科学院微电子研究所	28	428	9.0	20.0
3	金智	中国科学院微电子研究所	30	92	5.0	8.0
4	于进勇	中国科学院微电子研究所	9	91	8.0	9.0